Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках Ge$_{0.96}$Mn$_{0.04}$

Установлено, что отжиг полученных ионной имплантацией пленок Ge$_{0.96}$Mn$_{0.04}$ толщиной 120 нм приводит к увеличению микроволнового удельного сопротивления и смене механизма сбоя фазы носителей заряда. Влияние отжига на микроволновые транспортные свойства тонких пленок обусловлено диффузионно-контролируемой агрегацией примесных диспергированных ионов Mn$^{2+}$ в кластеры Ge$_3$Mn$_5$.