Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te

Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2–2.5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРТ-структурах, выращенных на GaAs-подложках с помощью метода молекулярно- пучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КРТ-структур. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см$^{-1}$, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область.