О смешанной проводимости, включающей квазиметаллическую проводимость по примесной зоне, в легированных полупроводниковых структурах

Установлено существование смешанной проводимости в различных структурах GaAs/AlGaAs, возникающей в результате одновременного участия в проводимости разрешенных состояний валентной зоны и делокализованных примесных (акцепторных) состояний. Последние возникают в примесной зоне при большой концентрации примеси вследствие перехода Андерсона. Смешанная проводимость проявляется в наличии минимума в температурных зависимостях концентрации носителей, а также в заметном перегибе температурных зависимостей проводимости. Для расчетов использовались выражения для смешанной проводимости, полученные нами с учетом спектра примесных состояний в квантовых ямах (верхняя и нижняя примесные зоны Хаббарда), их степени заполнения, знаков проводящих носителей в валентной и примесной зонах. Основным использованным предположением являлась малость ширины примесных зон по сравнению с расстоянием до валентной зоны. Результаты расчетов обнаруживают хорошее согласие с экспериментом. Исходя из них были найдены энергии связи для верхней и нижней зон Хаббарда, концентрации акцепторов и степень компенсации. Показано, что широко используемые для расчета смешанной проводимости формулы в случае узких примесных зон требуют существенной корректировки.