|
|
Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 6, страницы 759–763
(Mi phts8838)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные и оптические свойства полупроводников
Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi$_4$Te$_7$. Эксперимент и расчеты
М. К. Житинскаяa, С. А. Немовa, А. А. Мухтароваa, Л. Е. Шелимоваb, Т. Е. Свечниковаb, П. П. Константиновc a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
b Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены экспериментальные исследования комплекса кинетических коэффициентов на высококачественных монокристаллах тройных слоистых соединений PbBi$_4$Te$_7$ $n$-типа в интервале температур 77–400 K. Эти кристаллы, легированные электроактивными примесями Cd и Ag, были выращены методом Чохральского с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля. Найдена значительная анизотропия термоэлектрических свойств. Установлен механизм вхождения электроактивных примесей в решетку тройных соединений. Экспериментальные результаты по коэффициенту Нернста–Эттингсгаузена проанализированы совместно с данными по эффектам Зеебека, Холла и электропроводности. Показано, что вся совокупность данных по явлениям переноса в PbBi$_4$Te$_7$ может быть объяснена в рамках однозонной модели энергетического спектра зоны проводимости с учетом непараболичности и смешанного механизма рассеяния электронов на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей. Предполагается, что вдоль плоскости скола преобладает рассеяние на акустических фононах, а вдоль тригональной оси становится существенным примесное рассеяние.
Поступила в редакцию: 11.11.2009 Принята в печать: 16.11.2009
Образец цитирования:
М. К. Житинская, С. А. Немов, А. А. Мухтарова, Л. Е. Шелимова, Т. Е. Свечникова, П. П. Константинов, “Влияние примесей на транспортные свойства слоистого анизотропного соединения PbBi$_4$Te$_7$. Эксперимент и расчеты”, Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 759–763; Semiconductors, 44:6 (2010), 729–733
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8838 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i6/p759
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 44 | | PDF полного текста: | 17 |
|