Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$

Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$, выращенных на поверхности подложки GaP(100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20–300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$ с величинами мольных долей азота $x$ и мышьяка $y$ в диапазонах 0.006–0.012 и 0.00–0.18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20–300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни.