Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP

Методами вольт-емкостного профилирования, емкостной и токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования гетероструктур с квантовыми ямами GaP/GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP/GaP$_{1-x-y}$As$_x$N$_y$, выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии. В гетероструктурах с квантовыми ямами GaP/GaP$_{1-x}$N$_x$ обнаружены собственные дефекты с глубокими уровнями 0.17 и 0.08 эВ. Показано, что значительное уменьшение концентрации этих дефектов происходит при замене тройного твердого раствора GaP$_{1-x}$N$_x$, формирующего область квантовой ямы, на четверной раствор GaP$_{1-x-y}$As$_x$N$_y$. Обсуждается природа возникающих дефектов и механизмы уменьшения их концентрации.