Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 7, страницы 950–954 (Mi phts8870)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием

А. Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, Е. В. Никитина, Д. В. Денисов, Н. К. Поляков, Е. В. Пирогов, А. А. Горбацевич

Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, 195220 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1152 kB) Список цитирования (5) Английская версия
Аннотация: Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием ($\delta$-легированием) реализованы методом молекулярно-пучковой эпитаксии на многоподложечной промышленной установке. Подвижность электронов при комнатной температуре, определенная методом Холла, составляет 6550 и 6000 см$^2$/B $\cdot$ с при концентрации электронов в канале 3.00 $\cdot$ 10$^{12}$ и 3.36 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ соответственно. Гетероструктуры HEMT-транзисторов, изготавливаемые в одном процессе, имеют высокую однородность структурных и электрофизических характеристик по всей площади пластин диаметром 76.2 мм и высокую воспроизводимость характеристик от процесса к процессу.
Поступила в редакцию: 23.11.2009
Принята в печать: 27.11.2009
Английская версия:
Semiconductors, 2010, Volume 44, Issue 7, Pages 919–923
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782610070158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, Е. В. Никитина, Д. В. Денисов, Н. К. Поляков, Е. В. Пирогов, А. А. Горбацевич, “Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 950–954; Semiconductors, 44:7 (2010), 919–923
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EgoGlaNik10}
\by А.~Ю.~Егоров, А.~Г.~Гладышев, Е.~В.~Никитина, Д.~В.~Денисов, Н.~К.~Поляков, Е.~В.~Пирогов, А.~А.~Горбацевич
\paper Двухканальные псевдоморфные HEMT-гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs с импульсным легированием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2010
\vol 44
\issue 7
\pages 950--954
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8870}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318143}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2010
\vol 44
\issue 7
\pages 919--923
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782610070158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8870
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i7/p950
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026