Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции

Методами оптической спектроскопии и электронной микроскопии исследованы туннельно-нижекционные наноструктуры, активная область которых состояла из верхнего слоя квантовой ямы In$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As в качестве инжектора носителей и нижнего слоя квантовых точек In$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As в качестве эмиттера света, разделенных слоем барьера GaAs. В зависимости времени туннелирования от толщины барьера обнаружены отклонения от полуклассической модели Вентцеля–Крамерса–Бриллюэна. Сокращение времени переноса до единиц пикосекунд при толщине барьера менее 6 нм объясняется формированием между вершинами квантовых точек и слоем квантовой ямы наномостиков InGaAs, в том числе с собственным дырочным состоянием. Учтено влияние наведенного туннелированием электрического поля на время переноса носителей в туннельно-инжекционной наноструктуре.