Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 10, страницы 608–613
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.10.62342.8664
(Mi phts8942)
 

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней

Е. Н. Кирьяноваab, В. В. Румянцевab, А. А. Разоваab, Д. В. Шенгуровa, Н. С. Гусевa, Е. Е. Морозоваa, В. В. Уточкинa, В. Р. Барышевc, А. А. Янцерa, К. А. Мажукинаa, М. А. Фадеевa, Н. С. Гинзбургc, А. М. Малкинc, Е. Д. Егороваc, Н. Н. Михайловd, С. А. Дворецкийd, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: В волноводной структуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe продемонстрирована одночастотная лазерная генерация на длине волны 13.5 мкм за счет формирования на поверхности структуры периодической системы гребней, реализующих распределенную обратную связь. Показано, что используемая технология ионного травления не приводит к увеличению пороговой мощности оптической накачки, которая не превышает 100 Вт/см$^2$ при $T<$ 20 K.
Ключевые слова: HgCdTe, мезаструктуры, распределенная обратная связь, одночастотный лазер.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-12-00310
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FFUF-2024-0019
Рост структур, формирование РОС-лазера и исследование оптических свойств мезаструктур с помощью спектров ФЛ и СИ выполнены при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 22-12-00310-П). Характеризация структур, выполненная при помощи РЭМ, проведена в рамках государственного задания ИПФ РАН (проект № FFUF-2024-0019).
Поступила в редакцию: 15.10.2025
Исправленный вариант: 03.12.2025
Принята в печать: 05.12.2025
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Кирьянова, В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, В. Р. Барышев, А. А. Янцер, К. А. Мажукина, М. А. Фадеев, Н. С. Гинзбург, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней”, Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 608–613
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KirRumRaz25}
\by Е.~Н.~Кирьянова, В.~В.~Румянцев, А.~А.~Разова, Д.~В.~Шенгуров, Н.~С.~Гусев, Е.~Е.~Морозова, В.~В.~Уточкин, В.~Р.~Барышев, А.~А.~Янцер, К.~А.~Мажукина, М.~А.~Фадеев, Н.~С.~Гинзбург, А.~М.~Малкин, Е.~Д.~Егорова, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко, С.~В.~Морозов
\paper Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2025
\vol 59
\issue 10
\pages 608--613
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8942}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2025.10.62342.8664}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8942
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v59/i10/p608
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:113
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026