Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11, страницы 1443–1446 (Mi phts8964)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний

Д. А. Фирсовa, В. А. Шалыгинa, В. Ю. Паневинa, Г. А. Мелентьевa, А. Н. Софроновa, Л. Е. Воробьёвa, А. В. Андриановb, А. О. Захарьинb, В. С. Михринb, А. П. Васильевb, А. Е. Жуковc, Л. В. Гавриленкоd, В. И. Гавриленкоd, А. В. Антоновd, В. Я. Алешкинd

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
d Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (208 kB) Список цитирования (14) Английская версия
Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения.
Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2010, Volume 44, Issue 11, Pages 1394–1397
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782610110023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446; Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FirShaPan10}
\by Д.~А.~Фирсов, В.~А.~Шалыгин, В.~Ю.~Паневин, Г.~А.~Мелентьев, А.~Н.~Софронов, Л.~Е.~Воробьёв, А.~В.~Андрианов, А.~О.~Захарьин, В.~С.~Михрин, А.~П.~Васильев, А.~Е.~Жуков, Л.~В.~Гавриленко, В.~И.~Гавриленко, А.~В.~Антонов, В.~Я.~Алешкин
\paper Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1443--1446
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8964}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318292}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1394--1397
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782610110023}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8964
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i11/p1443
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026