Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11, страницы 1511–1513 (Mi phts8978)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне

А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (419 kB) Список цитирования (2) Английская версия
Аннотация: Методом металл-органической газофазной эпитаксии в реакторе атмосферного давления изготовлены многослойные гетероструктуры InAs/GaAs, содержащие плотные массивы слабодефектных, частично релаксированных нанокластеров InAs, более крупных, чем бездефектные квантовые точки. Структуры имеют интенсивную фотопроводимость в диапазоне длин волн 1–2 мкм при комнатной температуре. Обнаружительная способность изготовленных макетов фотоприемников составляет $D^*$ = 10$^9$ см $\cdot$ Гц$^{1/2}$ $\cdot$ Вт$^{-1}$. Время релаксации фотопроводимости на длине волны 1.5 мкм составляет менее 10 нс.
Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2010, Volume 44, Issue 11, Pages 1464–1466
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782610110163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский, “Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1511–1513; Semiconductors, 44:11 (2010), 1464–1466
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AntVosDro10}
\by А.~В.~Антонов, Н.~В.~Востоков, М.~Н.~Дроздов, Л.~Д.~Молдавская, В.~И.~Шашкин, О.~И.~Хрыкин, А.~Н.~Яблонский
\paper Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1511--1513
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8978}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318315}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1464--1466
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782610110163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8978
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i11/p1511
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:129
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026