Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом

Методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и регистрации фотоэлектронов на скачках рентгеновского поглощения с обработкой по методу отношения разностей фотоэмиссии на скачках поглощения (ОРФЭС) определены параметры многослойной периодической GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуры (ПС) со слоями толщиной около 100 нм, полученной газофазной эпитаксией с использованием металлоорганических соединений (МОС). Определены период ПС, толщины слоев GaAs и твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, содержание алюминия ($x$) в слоях твердого раствора и средняя концентрация алюминия ($x$) в объеме ПС, размеры переходных областей вблизи гетерограниц GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Полученные данные свидетельствуют о высоком кристаллическом совершенстве, однородности толщины и состава эпитаксиальных слоев GaAs и Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, составляющих ПС.