Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 11, страницы 1523–1526 (Mi phts8981)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XIV Ежегодный международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника-2010 г. Нижний Новгород (15-19 марта 2010 года)

Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя

С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (908 kB) Список цитирования (10) Английская версия
Аннотация: Исследованы времена релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Ge при возбуждении наносекундным узкополосным источником терагерцового излучения в зависимости от приложенного к образцу напряжения смещения. Показано, что в допробойных полях время релаксации растет с приложенным электрическим полем, а при превышении поля примесного пробоя уменьшается. В исследованных образцах, различающихся концентрацией акцепторов и степенью компенсации, наблюдалась немонотонная кинетика фотопроводимости при приближении к полю примесного пробоя.
Поступила в редакцию: 08.04.2010
Принята в печать: 08.04.2010
Английская версия:
Semiconductors, 2010, Volume 44, Issue 11, Pages 1476–1479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782610110199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1523–1526; Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorMarEro10}
\by С.~В.~Морозов, К.~В.~Маремьянин, И.~В.~Ерофеева, А.~Н.~Яблонский, А.~В.~Антонов, Л.~В.~Гавриленко, В.~В.~Румянцев, В.~И.~Гавриленко
\paper Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1523--1526
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8981}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20318320}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2010
\vol 44
\issue 11
\pages 1476--1479
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782610110199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8981
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v44/i11/p1523
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:134
    PDF полного текста:59
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026