Конфокальная рамановская микроскопия самоформирующихся островков GeSi/Si(001)

Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применен для исследования пространственного распределения элементного состава и упругих напряжений в cамоформирующихся островках Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH$_4$. В спектрах комбинационного рассеяния света, измеренных в области размером $<$ 100 нм на поверхности образца, идентифицированы линии, связанные с колебательными модами Si–Si, Ge–Ge и Si–Ge. Полученные карты распределения сдвигов указанных линий по поверхности образца были пересчитаны в карты распределения атомной доли Ge$_x$ и упругой деформации $\varepsilon$, усредненных по толщине слоя островков. Изучена зависимость $x$ и $\varepsilon$ от температуры роста и номинальной толщины осажденного слоя Ge.