Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 3, страницы 296–302 (Mi phts9360)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Низкоразмерные системы

Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек

А. С. Школьникa, А. В. Савельевb, Л. Я. Карачинскийa, Н. Ю. Гордеевa, Р. П. Сейсянa, Г. Г. Зегряa, S. Pellegrinic, G. S. Bullerc, В. П. Евтихиевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c School of Engineering and Physical Sciences, Heriot-Watt University, Riccarton, Edinburgh EH14 4AS, United Kingdom
PDF полного текста (306 kB) Список цитирования (1) Английская версия
Аннотация: Представлены результаты фотолюминесцентных исследований с временны́м разрешением гетероструктур, содержащих однослойные массивы InAs/GaAs-квантовых точек. Исследована двухкомпонентная временная зависимость интенсивности фотолюминесценции из основного состояния квантовых точек с характерными временами “медленной” компоненты до сотен наносекунд и “быстрой” в единицы наносекунд. Показано, что “медленная” компонента обусловлена процессами переноса неравновесных носителей заряда между квантовыми точками. При низких температурах время “медленной” составляющей определяется процессом туннелирования, а при высоких – процессом термического выброса неравновесных носителей заряда. Соотношение вкладов туннелирования и термического выброса определяется степенью изолированности квантовых точек. Построена теоретическая модель, описывающая влияние динамики переноса носителей на возникновение и затухание “медленной” компоненты фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 21.06.2007
Принята в печать: 25.07.2007
Английская версия:
Semiconductors, 2008, Volume 42, Issue 3, Pages 291–297
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782608030093
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Школьник, А. В. Савельев, Л. Я. Карачинский, Н. Ю. Гордеев, Р. П. Сейсян, Г. Г. Зегря, S. Pellegrini, G. S. Buller, В. П. Евтихиев, “Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008), 296–302; Semiconductors, 42:3 (2008), 291–297
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShkSavKar08}
\by А.~С.~Школьник, А.~В.~Савельев, Л.~Я.~Карачинский, Н.~Ю.~Гордеев, Р.~П.~Сейсян, Г.~Г.~Зегря, S.~Pellegrini, G.~S.~Buller, В.~П.~Евтихиев
\paper Роль процессов переноса неравновесных носителей заряда в излучательных свойствах массивов InAs/GaAs-квантовых точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2008
\vol 42
\issue 3
\pages 296--302
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts9360}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20317389}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2008
\vol 42
\issue 3
\pages 291--297
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782608030093}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts9360
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v42/i3/p296
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:66
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026