Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP

Приведены результаты исследования температурных зависимостей интенсивностей фотолюминесценции изотипных ДГС InGaAsP/InP $n$- и $p$-типа с одиночными квантовыми ямами, выращенных методом жидкофазной эпитаксии.
Анализ полученных зависимостей показывает, что захват носителей, генерируемых светом в материале широкозонного эмиттера, в квантовую яму существенно определяется резонансом прохождения.