|
|
Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 7, страницы 856–863
(Mi phts9452)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера
Ю. А. Алещенкоa, А. Е. Жуковb, В. В. Капаев , Ю. В. Копаев, П. С. Копьев, В. М. Устинов a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Выполнены экспериментальные и теоретические исследования трехъямных структур, представляющих собой прототип предложенного нами активного униполярного лазера на квантовых ямах с сильно асимметричными по высоте барьерами. Показано, что приложение к структурам внешнего электрического поля позволяет получить эффект, аналогичный трансформации размерности состояний в структуре с оптимальными параметрами. Несмотря на значительное увеличение толщин барьеров в исследованных трехъямных структурах по сравнению с оптимизированной структурой, произведение матричных элементов, определяющих усиление, сохраняет значительную величину (175–200 против 250 $\mathring{\mathrm{A}}^2$ в структуре с оптимальными параметрами) в широком диапазоне электрических полей.
Поступила в редакцию: 08.08.2007 Принята в печать: 30.10.2007
Образец цитирования:
Ю. А. Алещенко, А. Е. Жуков, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, П. С. Копьев, В. М. Устинов, “Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008), 856–863; Semiconductors, 42:7 (2008), 838–844
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts9452 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v42/i7/p856
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 77 | | PDF полного текста: | 29 |
|