Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2008, том 42, выпуск 7, страницы 856–863 (Mi phts9452)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера

Ю. А. Алещенкоa, А. Е. Жуковb, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, П. С. Копьев, В. М. Устинов

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Выполнены экспериментальные и теоретические исследования трехъямных структур, представляющих собой прототип предложенного нами активного униполярного лазера на квантовых ямах с сильно асимметричными по высоте барьерами. Показано, что приложение к структурам внешнего электрического поля позволяет получить эффект, аналогичный трансформации размерности состояний в структуре с оптимальными параметрами. Несмотря на значительное увеличение толщин барьеров в исследованных трехъямных структурах по сравнению с оптимизированной структурой, произведение матричных элементов, определяющих усиление, сохраняет значительную величину (175–200 против 250 $\mathring{\mathrm{A}}^2$ в структуре с оптимальными параметрами) в широком диапазоне электрических полей.
Поступила в редакцию: 08.08.2007
Принята в печать: 30.10.2007
Английская версия:
Semiconductors, 2008, Volume 42, Issue 7, Pages 838–844
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782608070142
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Алещенко, А. Е. Жуков, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, П. С. Копьев, В. М. Устинов, “Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008), 856–863; Semiconductors, 42:7 (2008), 838–844
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleZhuKap08}
\by Ю.~А.~Алещенко, А.~Е.~Жуков, В.~В.~Капаев, Ю.~В.~Копаев, П.~С.~Копьев, В.~М.~Устинов
\paper Управление заселенностью верхней рабочей подзоны электрическим полем в структурах с асимметричными барьерами для униполярного лазера
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2008
\vol 42
\issue 7
\pages 856--863
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts9452}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20317481}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2008
\vol 42
\issue 7
\pages 838--844
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782608070142}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts9452
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v42/i7/p856
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026