|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2201–2209
(Mi phts993)
|
|
|
|
Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич
Аннотация:
Проведен комплексный анализ электрофизических
параметров, фотолюминесценции, субмиллиметровой фотопроводимости
в магнитном поле в связи с различными конкретными условиями кристаллизации
эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной
эпитаксии из растворов-расплавов в галлии, висмуте и смешанных. Предложена
модель процесса «очистки» арсенида галлия висмутом.
Образец цитирования:
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts993 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i12/p2201
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 110 | PDF полного текста: | 45 |
|