|
Письма в Журнал технической физики, 1990, том 16, выпуск 19, страницы 59–61
(Mi pjtf3478)
|
|
|
|
К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев
Образец цитирования:
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, “К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 59–61
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf3478 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v16/i19/p59
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 18 |
|