Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs

Представлен анализ внутренних оптических потерь для вертикально-излучающих лазеров InAlGaAsP/AlGaAs спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с композитным туннельным переходом $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs, реализованных в рамках технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин. Уровень внутренних оптических потерь в исследуемых лазерах варьировался путем осаждения слоя диэлектрика на поверхность выводного зеркала. Показана принципиальная возможность достижения низких внутренних оптических потерь $<$ 0.08% и $<$ 0.14% на проход фотона при температурах 20 и 90$^\circ$С соответственно.