Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 18, страницы 97–102
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643 (Mi pjtf6126) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов

Е. В. Никитинаab, А. А. Лазаренкоa, Е. В. Пироговa, М. С. Соболевa, Т. Н. Березовскаяa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский научный центр РАН
PDF полного текста (88 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643
URL: https://journals.ioffe.ru/pjtf/2017/18/page-97.html.ru
Аннотация: Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 9, Pages 863–865
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017090243
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, Т. Н. Березовская, “Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 97–102; Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikLazPir17}
\by Е.~В.~Никитина, А.~А.~Лазаренко, Е.~В.~Пирогов, М.~С.~Соболев, Т.~Н.~Березовская
\paper Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 18
\pages 97--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6126}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29935985}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 9
\pages 863--865
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017090243}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6126
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i18/p97
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025