Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 14, страницы 87–93 (Mi pjtf6363)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Ионно-плазменное осаждение оксидных пленок с измененным стехиометрическим составом: эксперимент и моделирование

В. А. Вольпясa, А. В. Тумаркинa, А. К. Михайловab, А. Б. Козыревa, Р. А. Платоновac

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
Аннотация: Предложен метод ионно-плазменного осаждения тонких многокомпонентных пленок с непрерывным изменением стехиометрического состава по толщине пленки. Изменение состава по толщине происходит за счет варьирования давления рабочего газа в процессе осаждения при наличии в пространстве дрейфа мишень-подложка дополнительного адсорбирующего экрана. Эффективность предложенного метода подтверждается результатами численного моделирования методом Монте-Карло на примере осаждения тонких пленок твердого раствора Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ (BSTO). Показано, что при распылении мишени состава Ba$_{0.3}$Sr$_{0.7}$TiO$_{3}$ параметр стехиометрии растущей пленки BSTO изменяется в интервале $x$ = 0.3–0.65 при изменении давления рабочего газа в пределах 2–60 Pa.
Поступила в редакцию: 09.11.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 7, Pages 758–760
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070300
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Вольпяс, А. В. Тумаркин, А. К. Михайлов, А. Б. Козырев, Р. А. Платонов, “Ионно-плазменное осаждение оксидных пленок с измененным стехиометрическим составом: эксперимент и моделирование”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 87–93; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 758–760
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolTumMik16}
\by В.~А.~Вольпяс, А.~В.~Тумаркин, А.~К.~Михайлов, А.~Б.~Козырев, Р.~А.~Платонов
\paper Ионно-плазменное осаждение оксидных пленок с измененным стехиометрическим составом: эксперимент и моделирование
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 14
\pages 87--93
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368270}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 758--760
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016070300}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6363
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i14/p87
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025