|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 2, страницы 30–36
(Mi pjtf6530)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур
А. В. Леоновa, А. А. Малыхa, В. Н. Мордковичa, М. И. Павлюкb a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Московская область, Черноголовка
b ЗАО "ПКК Миландр", Москва, Зеленоград
Аннотация:
Рассматривается магниточувствительный элемент, представляющий собой комбинацию тонкопленочного Si-транзистора со встроенным каналом, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, и элемента Холла. Транзистор имеет двухзатворную управляющую полевую систему типа металл-диэлектрик-полупроводник–диэлектрик–металл. Он функционирует в режиме обогащения канала носителями тока при частичном обеднении областей пленки Si, прилегающих к каналу. Показано, что прибор функционирует до температур порядка 350$^\circ$C (что на 160–180$^\circ$C выше, чем у элемента Холла, изготовленного на основе объемных кристаллов Si) и не уступает по этому параметру элементам Холла на основе широкозонных полупроводников.
Поступила в редакцию: 04.08.2015
Образец цитирования:
А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, М. И. Павлюк, “Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 30–36; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 71–74
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6530 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i2/p30
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 10 |
|