Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 2, страницы 30–36 (Mi pjtf6530)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур

А. В. Леоновa, А. А. Малыхa, В. Н. Мордковичa, М. И. Павлюкb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Московская область, Черноголовка
b ЗАО "ПКК Миландр", Москва, Зеленоград
Аннотация: Рассматривается магниточувствительный элемент, представляющий собой комбинацию тонкопленочного Si-транзистора со встроенным каналом, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, и элемента Холла. Транзистор имеет двухзатворную управляющую полевую систему типа металл-диэлектрик-полупроводник–диэлектрик–металл. Он функционирует в режиме обогащения канала носителями тока при частичном обеднении областей пленки Si, прилегающих к каналу. Показано, что прибор функционирует до температур порядка 350$^\circ$C (что на 160–180$^\circ$C выше, чем у элемента Холла, изготовленного на основе объемных кристаллов Si) и не уступает по этому параметру элементам Холла на основе широкозонных полупроводников.
Поступила в редакцию: 04.08.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 1, Pages 71–74
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016010272
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, М. И. Павлюк, “Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 30–36; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 71–74
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LeoMalMor16}
\by А.~В.~Леонов, А.~А.~Малых, В.~Н.~Мордкович, М.~И.~Павлюк
\paper Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 2
\pages 30--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6530}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669678}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 1
\pages 71--74
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016010272}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6530
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i2/p30
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024