|
Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии
Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, Д. А. Курдюков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Соединения ванадия – V$_2$O$_5$ и NH$_4$VO$_3$ – использованы в качестве темплата для получения пористого кремнезема. В едином технологическом цикле получены как субмикронные сферические микропористые частицы SiO$_2$, так и гибридные частицы типа ядро-микропористая оболочка. В результате селективного травления материала ядра ($\alpha$-V$_2$O$_5$) получены частицы SiO$_2$ с полым ядром.
Ключевые слова:
V$_2$O$_5$, NH$_4$VO$_3$, кремнезем, микропоры, темплат, ядро-оболочка, полое ядро.
Поступила в редакцию: 23.06.2023 Исправленный вариант: 03.11.2023 Принята в печать: 07.11.2023
Образец цитирования:
Д. А. Еуров, Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, Д. А. Курдюков, “Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии”, Письма в ЖТФ, 50:3 (2024), 15–19
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6598 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i3/p15
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 9 |
|