Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 4, страницы 43–46
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771 (Mi pjtf6615) 		 
Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой

С. О. Слипченкоa, А. А. Подоскинa, И. В. Шушкановa, В. А. Крючковa, А. Э. Ризаевa, М. И. Кондратовa, А. Е. Гришинa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевab, В. Н. Светогоровb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия
PDF полного текста (254 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771
Аннотация: Разработаны и исследованы низковольтные тиристорные токовые ключи для генерации высокочастотной последовательности токовых импульсов. Максимальная частота (400 kHz при 35 V) продемонстрирована для структуры гомотиристора GaAs (HoT). Гетероструктура тиристора с AlGaAs-барьером (HeT) демонстрировала меньший ток удержания; как следствие, максимальная частота достигала 170 kHz при 10 V. Для максимальных напряжений 55 V частоты достигали 55 и 40 kHz для структур HоT и HеT соответственно. При этом в контуре генерировались импульсы тока длительностью 3.5 ns и амплитудой 24 А.
Ключевые слова: тиристор, токовый ключ.
Поступила в редакцию: 18.10.2023
Исправленный вариант: 20.11.2023
Принята в печать: 22.11.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. А. Крючков, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой”, Письма в ЖТФ, 50:4 (2024), 43–46
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SliPodShu24}
\by С.~О.~Слипченко, А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, В.~А.~Крючков, А.~Э.~Ризаев, М.~И.~Кондратов, А.~Е.~Гришин, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, В.~Н.~Светогоров, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 4
\pages 43--46
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6615}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=60020029}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6615
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i4/p43
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025