Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев

Представлены результаты исследования полосковых квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 8 $\mu$m на основе конструкции активной области с опустошением нижнего лазерного уровня через рассеяние на продольном оптическом фононе и последующим выбросом носителей заряда в слои инжектора через минизону. Применение активной области на основе 35 периодов, формирующих каскад, и обкладок волновода на основе InP толщиной $\ge$ 3.5 $\mu$m наряду с использованием дополнительных ограничивающих слоев InGaAs позволило реализовать эффективный теплоотвод от активной области и высокий фактор оптического ограничения ($\sim$68%). Повышение уровня легирования слоев инжектора позволило реализовать пиковую выходную оптическую мощность порядка $\sim$3.6 W при эффективности лазера $\sim$6%.