Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами

Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru$^{3+}$ в прорастающих дислокациях в слоях $p$-Si/$p$-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса.