Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2023, том 49, выпуск 5, страницы 32–35
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.05.54668.19452
(Mi pjtf6931)
 

Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

В. О. Гридчинabc, И. П. Сошниковbcd, Р. Р. Резникa, С. Д. Комаровe, Е. В. Пироговb, В. В. Лендяшоваabd, К. П. Котлярabc, Н. В. Крыжановскаяe, Г. Э. Цырлинabcd

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
Аннотация: Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза.
Ключевые слова: InGaN, кремний, наноструктуры, фотолюминесценция, структурные свойства, оптические свойства, молекулярно-пучковая эпитаксия, плазма азота.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-22-00349
Санкт-Петербургский государственный университет 94031047
Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Эксперименты по росту наноструктур InGaN проведены при поддержке Российского научного фонда (проект № 23-22-00349). Исследования структурных свойств выращенных образцов выполнены при финансовой поддержке Санкт-Петербургского государственного университета в рамках исследовательского гранта № 94031047. Исследование ФЛ осуществлено в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ.
Поступила в редакцию: 06.12.2022
Исправленный вариант: 26.12.2022
Принята в печать: 27.12.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 32–35
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriSotRez23}
\by В.~О.~Гридчин, И.~П.~Сошников, Р.~Р.~Резник, С.~Д.~Комаров, Е.~В.~Пирогов, В.~В.~Лендяшова, К.~П.~Котляр, Н.~В.~Крыжановская, Г.~Э.~Цырлин
\paper Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2023
\vol 49
\issue 5
\pages 32--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6931}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.05.54668.19452}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50250435}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6931
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i5/p32
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026