|
Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
В. О. Гридчинabc, И. П. Сошниковbcd, Р. Р. Резникa, С. Д. Комаровe, Е. В. Пироговb, В. В. Лендяшоваabd, К. П. Котлярabc, Н. В. Крыжановскаяe, Г. Э. Цырлинabcd a Санкт-Петербургский государственный университет
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
Аннотация:
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза.
Ключевые слова:
InGaN, кремний, наноструктуры, фотолюминесценция, структурные свойства, оптические свойства, молекулярно-пучковая эпитаксия, плазма азота.
Поступила в редакцию: 06.12.2022 Исправленный вариант: 26.12.2022 Принята в печать: 27.12.2022
Образец цитирования:
В. О. Гридчин, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, С. Д. Комаров, Е. В. Пирогов, В. В. Лендяшова, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, Г. Э. Цырлин, “Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023), 32–35
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6931 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i5/p32
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 54 | | PDF полного текста: | 22 |
|