Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2023, том 49, выпуск 12, страницы 13–17
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.12.55567.19579
(Mi pjtf7005)
 

Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции

В. А. Мальгиновa, Л. С. Флейшманb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
b Российский государственный геологоразведочный университет, Москва, Россия
Аннотация: Рассмотрена возможность применения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения в защитных резисторах (ВТСП-резисторах) для электрооборудования. Предложено использовать в ВТСП-резисторах сетчатую стекловолоконную электрическую изоляцию для обеспечения эффективности теплоотвода и поддержания стабильного перегруженного режима. Выполнено физическое моделирование таких резисторов, которое показало сохранение их перегрузочной способности и подавление тепловых неустойчивостей благодаря наличию сетчатой изоляции.
Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, защитный резистор, сетчатая изоляция, хладагент, резистивное состояние, тепловой срыв.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации АААА-А19-119083090048-5
Работа выполнена в рамках государственного задания АААА-А19-119083090048-5.
Поступила в редакцию: 05.04.2023
Исправленный вариант: 21.04.2023
Принята в печать: 22.04.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Мальгинов, Л. С. Флейшман, “Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции”, Письма в ЖТФ, 49:12 (2023), 13–17
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalFle23}
\by В.~А.~Мальгинов, Л.~С.~Флейшман
\paper Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2023
\vol 49
\issue 12
\pages 13--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7005}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.12.55567.19579}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=53875894}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7005
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i12/p13
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026