|
Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции
В. А. Мальгиновa, Л. С. Флейшманb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
b Российский государственный геологоразведочный университет, Москва, Россия
Аннотация:
Рассмотрена возможность применения высокотемпературных сверхпроводников второго поколения в защитных резисторах (ВТСП-резисторах) для электрооборудования. Предложено использовать в ВТСП-резисторах сетчатую стекловолоконную электрическую изоляцию для обеспечения эффективности теплоотвода и поддержания стабильного перегруженного режима. Выполнено физическое моделирование таких резисторов, которое показало сохранение их перегрузочной способности и подавление тепловых неустойчивостей благодаря наличию сетчатой изоляции.
Ключевые слова:
высокотемпературный сверхпроводник, защитный резистор, сетчатая изоляция, хладагент, резистивное состояние, тепловой срыв.
Поступила в редакцию: 05.04.2023 Исправленный вариант: 21.04.2023 Принята в печать: 22.04.2023
Образец цитирования:
В. А. Мальгинов, Л. С. Флейшман, “Стабилизация сверхпроводниковых защитных резисторов посредством сетчатой электрической изоляции”, Письма в ЖТФ, 49:12 (2023), 13–17
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7005 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v49/i12/p13
|
|