Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2022, том 48, выпуск 5, страницы 51–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.05.52159.18932 (Mi pjtf7258) 		 
Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии

Д. А. Кириленко, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (955 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.05.52159.18932
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурных особенностей интерфейса между полуполярным слоем нитрида галлия и буферным слоем нитрида алюминия, выращенных на комбинированной подложке SiC/Si(001) с разориентацией 7$^\circ$. Выявлено влияние морфологии интерфейса на структурное качество слоя нитрида галлия: фасетированная структура поверхности буферного слоя снижает плотность прорастающих дислокаций.
Ключевые слова: полуполярный GaN, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, подложка Si(001).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-29-12041 мк
Исследование структурных свойств слоев AlN проведено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 19-29-12041 мк).
Поступила в редакцию: 21.06.2021
Исправленный вариант: 09.12.2021
Принята в печать: 18.12.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Кириленко, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, Л. М. Сорокин, “Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022), 51–54
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KirMyaKal22}
\by Д.~А.~Кириленко, А.~В.~Мясоедов, А.~Е.~Калмыков, Л.~М.~Сорокин
\paper Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2022
\vol 48
\issue 5
\pages 51--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7258}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.05.52159.18932}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48007094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7258
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i5/p51
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:21
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025