Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2022, том 48, выпуск 18, страницы 6–9
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245 (Mi pjtf7396) 		 
Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками

А. С. Голтаевa, А. А. Воробьевa, А. М. Можаровa, А. В. Павловa, Д. М. Митинa, В. В. Федоровab, Ю. С. Бердниковa, И. С. Мухинa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (358 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245
Аннотация: Обсуждаются вопросы создания гибкого солнечного элемента на основе классического гетероперехода GaAs/AlGaAs с использованием жертвенного слоя InAlP для отделения гетероструктуры от ростовой подложки, где в качестве подложки-носителя использована мембрана из полиметилметакрилата. Комбинация данных решений позволила достичь высокого показателя удельной мощности – 750 W/kg.
Ключевые слова: солнечный элемент, GaAs, ELO, гибкая электроника.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-79-00281
Российский фонд фундаментальных исследований 19-38-60008
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации МК-3031.2021.1.2
Ю.С. Бердников благодарит Российский научный фонд за финансовую поддержку исследований в области численного моделирования (проект № 21-79-00281). Д.М. Митин благодарит Российский фонд фундаментальных исследований за поддержку исследований в области характеризации электрофизических свойств СЭ (проект 19-38-60008), а также Совет по грантам Президента РФ за поддержку исследований в области эпитаксиального синтеза (МК-3031.2021.1.2).
Поступила в редакцию: 06.05.2022
Исправленный вариант: 25.07.2022
Принята в печать: 25.07.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Голтаев, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, А. В. Павлов, Д. М. Митин, В. В. Федоров, Ю. С. Бердников, И. С. Мухин, “Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 48:18 (2022), 6–9
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GolVorMoz22}
\by А.~С.~Голтаев, А.~А.~Воробьев, А.~М.~Можаров, А.~В.~Павлов, Д.~М.~Митин, В.~В.~Федоров, Ю.~С.~Бердников, И.~С.~Мухин
\paper Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2022
\vol 48
\issue 18
\pages 6--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7396}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49357163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7396
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i18/p6
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:14
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025