Электронная структура ультратонких интерфейсов Cs/Bi$_2$Se$_3$

Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Cs/Bi$_2$Se$_3$ методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при субмонослойных покрытиях Cs на образцах Bi$_2$Se$_3$. Обнаружено, что адсорбция Cs вызывает изменения в спектрах остовных уровней Bi $4f$, Bi $5d$, Se $3d$. Установлено, что атомы Cs адсорбируются преимущественно на атомы Bi в верхнем поверхностном слое. Исследованы состояния валентной зоны как для чистой поверхности Bi$_2$Se$_3$, так и для интерфейса Cs/Bi$_2$Se$_3$. Вблизи уровня Ферми обнаружены 2D-топологические состояния. При адсорбции Cs в области валентной зоны появляются два индуцированных поверхностных состояния.