Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2025, том 51, выпуск 9, страницы 18–22
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.09.60226.20200 (Mi pjtf7564) 		 
Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP

А. С. Гудовскихab, А. И. Барановa, А. В. Уваровa, Е. А. Вячеславоваa, А. А. Максимоваab, Д. А. Кириленкоc, Г. Е. Яковлевb, В. И. Зубковb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1076 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.09.60226.20200
Аннотация: Проведены исследования структурных и электронных свойств слоев InP и границы раздела GaP/InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке. При росте InP на Si-подложке с подслоем GaP (20 nm) наблюдается резкая граница раздела InP/GaP и сохранение свойств границы раздела GaP/Si. Измерения профилей концентрации носителей заряда с помощью электрохимического вольт-фарадного профилирования для InP/GaP/Si-гетероструктуры позволили провести оценку величины разрыва зон $\Delta E_C$ на границе GaP/InP, составляющей 0.55 $\pm$ 0.05 eV.
Ключевые слова: фосфид индия, фосфид галлия, интерфейс, атомно-слоевое осаждение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 24-19-00150
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда № 24-19-00150 (https://rscf.ru/en/project/24-19-00150/). Исследования методом ПЭМ выполнены с использованием оборудования федерального ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях”, поддержанного Минобрнауки России.
Поступила в редакцию: 27.11.2024
Исправленный вариант: 04.01.2025
Принята в печать: 10.01.2025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Д. А. Кириленко, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 18–22
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudBarUva25}
\by А.~С.~Гудовских, А.~И.~Баранов, А.~В.~Уваров, Е.~А.~Вячеславова, А.~А.~Максимова, Д.~А.~Кириленко, Г.~Е.~Яковлев, В.~И.~Зубков
\paper Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2025
\vol 51
\issue 9
\pages 18--22
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7564}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.09.60226.20200}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=82305051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7564
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v51/i9/p18
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025