Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2025, том 51, выпуск 10, страницы 7–10
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.10.60323.20209 (Mi pjtf7574) 		 
Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния

Е. В. Никитинаab, Е. В. Пироговa, А. К. Кавеевb, В. В. Федоровa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (916 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.10.60323.20209
Аннотация: Проведены сравнительные исследования влияния буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния. Исследованы структуры с GaP-буфером, выращенным с использованием метода “эпитаксии с повышенным темпом миграции” (MEE-GaP-буфер), и низкотемпературным GaP-буфером с плавно увеличивающейся температурой роста. Показано,что интенсивность фотолюминесценции для структур с MEE-GaP и оптимизированным GaP-буфером практически одинакова, однако релаксация напряжений происходит по-разному.
Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, кремниевая подложка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-79-00032
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-79-00032 (https://rscf.ru/en/project/22-22-00565/).
Поступила в редакцию: 03.12.2024
Исправленный вариант: 11.01.2025
Принята в печать: 27.01.2025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. К. Кавеев, В. В. Федоров, “Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 7–10
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikPirKav25}
\by Е.~В.~Никитина, Е.~В.~Пирогов, А.~К.~Кавеев, В.~В.~Федоров
\paper Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2025
\vol 51
\issue 10
\pages 7--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7574}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=82307830}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7574
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v51/i10/p7
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:71
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026