|
Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 18, страницы 8–15
(Mi pjtf7830)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии
П. А. Алексеевa, М. С. Дунаевскийab, С. О. Слипченкоa, А. А. Подоскинa, И. С. Тарасовa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Исследовано распределение интенсивности излучения лазерного диода по оригинальной методике, основанной на атомно-силовой микроскопии. Показана возможность картирования интенсивности излучения в ближнем поле и переходной зоне мощного полупроводникового лазера в комнатных условиях с субволновым пространственным разрешением. Полученные картины распределения интенсивности согласуются с данными моделирования и результатами, полученными ближнепольной оптической микроскопией.
Поступила в редакцию: 26.03.2015
Образец цитирования:
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. С. Тарасов, “Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015), 8–15; Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 870–873
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7830 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v41/i18/p8
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 12 |
|