Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

Сформированы слои AlN на подложках Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Приведены результаты исследования влияния температуры подложки на кристаллические свойства формируемых слоев AlN. Установлено, что предварительное формирование аморфного слоя Si$_x$N$_y$ на поверхности Si(111) с последующим нанесением $\sim$ 2 монослоев Al позволяет получать гладкие слои AlN с шероховатостью поверхности 0.43 nm при толщине слоя 170 nm. Полученные результаты представляют интерес для монолитной интеграции III–N оптоэлектронных и радиоэлектронных устройств с кремниевой платформой.