Влияние механической деформации растяжения на магнитосопротивление наноструктур магнитной стрейнтроники

Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования наноструктуры магнитной стрейнтроники Ta (5 nm)/FeNiCo (20 nm)/CoFe (10 nm)/Ta (5 nm). Определена зависимость магнитосопротивления от величины напряженности внешнего магнитного поля в условиях механической деформации растяжения. Предложена теоретическая модель, объясняющая особенности этой экспериментальной зависимости. В частности, объяснена экспериментально установленная асимметрия изменения магнитосопротивления при деформации сжатия и растяжения.