|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 10, страницы 21–27
(Mi pjtf8853)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As
А. Д. Буравлевabcd, А. А. Зайцевabcd, П. Н. Брунковabcd, В. Ф. Сапегаabcd , А. И. Хребтовabcd, Ю. Б. Самсоненкоabcd, Г. Э. Цырлинabcd, В. Г. Дубровскийabcd , В. М. Устиновabcd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Аннотация:
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(100) синтезированы (In,Mn)As квантовые точки. Исследование морфологии поверхности полученных образцов с помощью методики атомно-силовой микроскопии продемонстрировало, что присутствие Mn влияет на поверхностную плотность и размеры самоупорядоченных квантовых точек. Изучено влияние предварительно осажденного подслоя атомов Mn на свойства образцов.
Поступила в редакцию: 06.01.2012
Образец цитирования:
А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 21–27; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8853 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i10/p21
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 158 | | PDF полного текста: | 117 |
|