Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2011, том 37, выпуск 13, страницы 62–69 (Mi pjtf9211)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок

Т. Т. Корчагинаabcd, В. А. Володинabcd, А. А. Поповabcd, К. С. Хорьковabcd, М. Н. Геркеabcd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
d Владимирский государственный университет
PDF полного текста (215 kB) Список цитирования (5) Английская версия
Аннотация: Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiN$_x$ с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100$^\circ$C с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика.
Поступила в редакцию: 05.03.2011
Английская версия:
Technical Physics Letters, 2011, Volume 37, Issue 7, Pages 622–625
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785011070091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. Т. Корчагина, В. А. Володин, А. А. Попов, К. С. Хорьков, М. Н. Герке, “Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011), 62–69; Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 622–625
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorVolPop11}
\by Т.~Т.~Корчагина, В.~А.~Володин, А.~А.~Попов, К.~С.~Хорьков, М.~Н.~Герке
\paper Формирование нанокристаллов кремния в пленке SiN$_x$ на лавсане с применением фемтосекундных импульсных обработок
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2011
\vol 37
\issue 13
\pages 62--69
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf9211}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327591}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2011
\vol 37
\issue 7
\pages 622--625
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785011070091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf9211
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v37/i13/p62
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026