|
Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 197–200
(Mi qe16780)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Лазеры и усилители
Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм
А. А. Мармалюкab, Ю. Л. Рябоштанa, П. В. Горлачукa, М. А. Ладугинa, А. А. Падалицаa, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, Д. А. Веселовc, Н. А. Пихтинc a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проанализировано влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP. Экспериментально получены образцы полупроводниковых лазеров с узким и широким волноводами. Проведено их сравнение и показано преимущество той или иной конструкции гетероструктур в зависимости от токовой накачки.
Ключевые слова:
полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, выходная мощность.
Поступила в редакцию: 20.10.2017 Исправленный вариант: 25.12.2017
Образец цитирования:
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16780 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i3/p197
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 510 | PDF полного текста: | 159 | Список литературы: | 45 | Первая страница: | 30 |
|