Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 197–200 (Mi qe16780)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Лазеры и усилители

Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм

А. А. Мармалюкab, Ю. Л. Рябоштанa, П. В. Горлачукa, М. А. Ладугинa, А. А. Падалицаa, С. О. Слипченкоc, А. В. Лютецкийc, Д. А. Веселовc, Н. А. Пихтинc

a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Проанализировано влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP. Экспериментально получены образцы полупроводниковых лазеров с узким и широким волноводами. Проведено их сравнение и показано преимущество той или иной конструкции гетероструктур в зависимости от токовой накачки.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, выходная мощность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (договор № 02.а03.21.0005).
Поступила в редакцию: 20.10.2017
Исправленный вариант: 25.12.2017
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 3, Pages 197–200
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16545
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16780
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i3/p197
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:510
    PDF полного текста:159
    Список литературы:45
    Первая страница:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024