Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 212–214 (Mi qe16789)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры и усилители

Твердотельный усилитель на основе кристалла Yb : YAG с одномодовой лазерной накачкой на длине волны 920 нм

И. В. Оброновab, А. С. Демкинac, Д. В. Мясниковa

a ООО НТО "ИРЭ–Полюс", г. Фрязино, Московской обл.
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
Список литературы:
Аннотация: На основе кристалла Yb : YAG с осевой лазерной накачкой на длине волны 920 нм, имеющей одномодовое поперечное распределение лазерного излучения, предложена схема оптического усилителя для ультракоротких импульсов с длиной волны излучения 1030 нм. Продемонстрировано усиление по малому сигналу до 40 дБ за один проход с высоким качеством выходного пучка. Максимальная средняя мощность составила 14 Вт с дифференциальной эффективностью свыше 50%.
Ключевые слова: Yb : YAG, кристаллический стержень, ультракороткие импульсы, одномодовая накачка, неодимовый волоконный лазер, CPA.
Поступила в редакцию: 25.12.2017
Исправленный вариант: 12.02.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 3, Pages 212–214
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16605
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: И. В. Обронов, А. С. Демкин, Д. В. Мясников, “Твердотельный усилитель на основе кристалла Yb : YAG с одномодовой лазерной накачкой на длине волны 920 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 212–214 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 212–214]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16789
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i3/p212
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:273
    PDF полного текста:92
    Список литературы:38
    Первая страница:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024