Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 1, страницы 11–16 (Mi qe18156)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

С. О. Слипченкоa, А. А. Подоскинa, В. В. Золотаревa, Л. С. Вавиловаa, А. Ю. Лешкоa, М. Г. Растегаеваa, И. В. Мирошниковa, И. С. Шашкинa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевb, М. А. Ладугинb, А. А. Падалицаb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследованы электрические и оптические характеристики новой конструкции излучателя на основе вертикальной сборки минилинейки полупроводниковых лазеров (МПЛ, laser diode minibars, LDMB) и 2D многоэлементного тиристорного массива (2D МТМ, multi-element thyristor array, 2D META) в качестве сильноточного ключа, предназначенного для режимов генерации коротких (десятки наносекунд) мощных лазерных импульсов. Установлено, что уменьшение до 200 мкм размеров анодного контакта одиночных элементов 2D МТМ обеспечивает условия для однородного включения всех элементов. Показано, что в режиме «длинных» импульсов (14.6 нс) пиковая мощность лазерного излучения достигала 85 Вт на длине волны 1060 нм, что соответствовало пиковому току, генерируемому в цепи вертикальной сборки, 119 А (19.8 А на одиночный элемент 2D МТМ); при этом максимальная частота следования импульсов для рабочего напряжения 15 В достигала 700 кГц. В режиме «коротких» импульсов (6.4 нс) при частоте следования 1 МГц пиковая оптическая мощность достигала 47 Вт на той же длине волны, что соответствовало генерируемому пиковому току 60 А (10 А на одиночный элемент 2D МТМ). Показано, что в обоих режимах работы при увеличении частоты следования характеристики 2D МТМ в качестве сильноточного ключа не меняются.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, лазерные линейки, тиристоры, наносекундные импульсы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30072
Исследования выполнены за счет гранта Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).
Поступила в редакцию: 23.09.2022
Принята в печать: 23.09.2022
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 5, Pages S527–S534
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623170141
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 11–16 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18156
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v53/i1/p11
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:247
    PDF полного текста:18
    Список литературы:41
    Первая страница:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025