Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2024, том 54, номер 2, страницы 100–103 (Mi qe18399)  

Лазеры

Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями

К. А. Подгаецкийa, А. В. Лобинцовa, А. И. Даниловa, А. В. Ивановa, М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкabc, Е. В. Кузнецовa, В. В. Дюделевd, Д. А. Михайловd, Д. В. Чистяковd, Е. А. Когновицкаяd, С. Н. Лосевd, С. Х. Абдулразакd, А. В. Бабичевe, Г. М. Савченкоd, А. В. Лютецкийd, С. О. Слипченкоd, Н. А. Пихтинd, А. Г. Гладышевf, И. И. Новиковe, Л. Я. Карачинскийe, А. Ю. Егоровeg, Г. С. Соколовскийd

a АО «НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха», Россия, 117342 Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Россия, 115409 Москва
c Российский университет дружбы народов, Россия, 117198 Москва, ул. Миклухо-Маклая, 6
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Россия, 194021 С.-Петербург
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Россия, 197101 С.- Петербург
f ООО "Коннектор Оптикс", Россия, 194292 С.-Петербург
g Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН, Россия, 194021 С.-Петербург
Список литературы:
Аннотация: Созданы и исследованы квантовые каскадные лазеры (ККЛ) на основе InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими покрытиями. Изготовленные лазеры излучают в спектральном диапазоне 4 – 5 мкм. Изучено влияние вариации коэффициента отражения переднего зеркала на выходную мощность ККЛ с высокоотражающим задним зеркалом. Показано, что использование просветляющего покрытия на передней грани приводит к одновременному увеличению как порогового тока ККЛ, так и наклона ватт-амперной характеристики (ВтАХ). Это позволяет достигнуть более высокой выходной мощности при больших токах накачки. Напротив, использование частично отражающего покрытия на передней грани не только уменьшает пороговый ток ККЛ, но и снижает наклон ВтАХ. Такие ККЛ могут иметь преимущество перед другими излучателями при малых токах накачки.
Ключевые слова: квантовый каскадный лазер, высокоотражающие зеркала, просветляющие оптические покрытия, частично отражающие оптические покрытия, выходная мощность, инфракрасный диапазон.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.а03.21.0005
Российский научный фонд 21-72-30020
Разработка зеркальных покрытий выполнена в рамках программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (проект № 02.а03.21.0005). Экспериментальные исследования ККЛ проведены при поддержке Российского научного фонда (проект № 21-72-30020).
Поступила в редакцию: 05.03.2024
Исправленный вариант: 17.05.2024
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2024, Volume 51, Issue suppl. 7, Pages S507–S511
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335624601742
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями”, Квантовая электроника, 54:2 (2024), 100–103 [Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 7 (2024), S507–S511]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18399
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v54/i2/p100
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    Список литературы:18
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025