Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2025, том 55, номер 1, страницы 15–22 (Mi qe18524)  

Активные среды

Моделирование высокоэнергетического наносекундного ВКР-лазера на кристалле BaWO4

Е. А. Пегановab, С. Н. Сметанинb, Н. А. Карповac, В. И. Самойловac, И. С. Макогонa, П. Д. Харитоноваb, А. Н. Бойкоad, И. А. Зуйковad, Л. И. Ивлеваb

a Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, Россия, 142092 Москва, Троицк
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Россия, 119991 Москва
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Россия, 115409 Москва
d Российский университет дружбы народов, Россия, 117198 Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследуется работоспособность широкоапертурного кристалла вольфрамата бария (BaWO4) как активной среды наносекундного лазера на вынужденном комбинационном рассеянии с рекордно высокой энергией импульсов выходного излучения уровня 1 Дж. Проведенные эксперименты показали высокую стойкость кристалла BaWO4 к лазерным импульсам с порогом лазерного разрушения 10 Дж/см2. Математическое моделирование ВКР-лазера при накачке лазером на неодимовом стекле (1053 нм, 6 Дж) показало эффективное преобразование энергии накачки в стоксовы компоненты с энергиями 1.8 (1167 нм), 1.7 (1214 нм) и 0.8 Дж (1265 нм) в оптическом резонаторе, выходным зеркалом которого является выходной торец ВКР-кристалла.
Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, высокоэнергетический ВКР-лазер, лучевая стойкость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 24-12-00448
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 24-12-00448).
Поступила в редакцию: 24.10.2024
Исправленный вариант: 24.02.2025
Принята в печать: 24.02.2025
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Е. А. Пеганов, С. Н. Сметанин, Н. А. Карпов, В. И. Самойлов, И. С. Макогон, П. Д. Харитонова, А. Н. Бойко, И. А. Зуйков, Л. И. Ивлева, “Моделирование высокоэнергетического наносекундного ВКР-лазера на кристалле BaWO4”, Квантовая электроника, 55:1 (2025), 15–22
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18524
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v55/i1/p15
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:197
    Список литературы:115
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026