Эффективная лазерная генерация на кристалле Cr2+:ZnSe, выращенном из паровой фазы

Исследованы лазерные характеристики кристалла Cr²⁺:ZnSe, выращенного методом свободного роста на монокристаллическую затравку с использованием физического транспорта в гелии. Легирование проводилось из паровой фазы непосредственно во время роста. Достигнутая концентрация ионов Cr²⁺ (5×10¹⁸ см^-3) обеспечивает коэффициент поглощения 4.5 см^-1 в максимуме полосы накачки (1.78 мкм). При накачке излучением импульсного Co:MgF₂-лазера с длиной волны 1.67 мкм получен дифференциальный КПД 59% по поглощенной энергии, что соответствует квантовой эффективности 87%.