|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 6, страницы 1080–1081
(Mi qe5140)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Письма в редакцию
Фотодиссоционный XeF-лазер с КПД генерации около 1 %
В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Измерялся мгновенный КПД генерации фотодиссоционного XeF-лазера, определяемый как отношение мощности генерации к электрической мощности, вкладываемой в источник накачки. Накачка лазера осуществлялась ВУФ излучением открытого сильноточного разряда. В максимуме импульса генерации КПД составил 0,8 % на длине волны 353 нм и 1 % на 485 нм (с поправкой на геометрический фактор использования излучения источника накачки). Энергия импульса генерации и средний удельный энергосъем на 353 нм составили соответственно 28 Дж и 18 Дж/л, на 485 нм – 14,5 Дж и 10 Дж/л.
Поступила в редакцию: 06.03.1984
Образец цитирования:
В. С. Зуев, Л. Д. Михеев, Д. Б. Ставровский, “Фотодиссоционный XeF-лазер с КПД генерации около 1 %”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1080–1081 [Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 728–729]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe5140 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i6/p1080
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 186 | PDF полного текста: | 78 | Первая страница: | 1 |
|