Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 3, страницы 629–633 (Mi qe6741)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние ширины линии накачки на генерацию при вынужденном комбинационном рассеянии

И. Г. Зубарев, С. И. Михайлов
Аннотация: Исследована зависимость эффективности генерации лазера на ВКР от ширины линии возбуждающего излучения $\Delta\nu_{\text{н}}$. Показано, что к. п. д. генерации остается постоянным вплоть до $\Delta\nu_{\text{н}}\lesssim2\Delta\nu_{\text{л}}$ (где $2\Delta\nu_{\text{л}}$ – ширина линии спонтанного рассеяния). Когда $\Delta\nu_{\text{н}}\gtrsim10\Delta\nu_{\text{л}}$, к. п. д. генерации падает на порядок.
Поступила в редакцию: 14.11.1973
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, Volume 4, Issue 3, Pages 351–353
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1974v004n03ABEH006741
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378:535.375
PACS: 42.55.Ye, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Da
Образец цитирования: И. Г. Зубарев, С. И. Михайлов, “Влияние ширины линии накачки на генерацию при вынужденном комбинационном рассеянии”, Квантовая электроника, 1:3 (1974), 629–633 [Sov J Quantum Electron, 4:3 (1974), 351–353]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZubMik74}
\by И.~Г.~Зубарев, С.~И.~Михайлов
\paper Влияние ширины линии накачки на генерацию при вынужденном комбинационном рассеянии
\jour Квантовая электроника
\yr 1974
\vol 1
\issue 3
\pages 629--633
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe6741}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1974
\vol 4
\issue 3
\pages 351--353
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1974v004n03ABEH006741}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe6741
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i3/p629
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:217
    PDF полного текста:94
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025