Фотолюминесцентные свойства и коэффициент усиления монокристаллов CdS, CdSe при возбуждении электронным пучком

Исследованы спектры фотолюминесценции монокристаллов сульфида и селенида кадмия (при температурах 77 и 4,2 K) и спектральная зависимость коэффициента оптического усиления α(ħω) при возбуждении кристаллов электронным пучком с энергией Е = 20 КэВ (температура 77 K). Проведено сравнение экспериментальной и рассчитанной форм линии усиления для экситон-фононного взаимодействия носителей. Обнаружена корреляция между спектрами фотолюминесценции и экспериментально измеренной спектральной зависимостью коэффициента усиления. Найдено, что на кристаллах CdS, в спектрах которых при температуре 77 K наблюдается интенсивное по сравнению с краевым излучение свободного экситона A и четко проявляются переходы с одним и двумя продольными оптическими фононами, можно получить коэффициент усиления до 70 см^–7. Форма линии усиления таких кристаллов близка к расчетной. Для кристаллов CdSe, выращенных сублимацией порошка в потоке аргона, найдено, что максимальное усиление и совпадение экспериментальной и рассчитанной форм линии усиления получаются при выращивании кристаллов в диапазоне температур 800 … 900 °C.