|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1124–1126
(Mi qe7018)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. Ф. Певцов Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва
Аннотация:
Исследовано влияние времени травления твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с поперечной накачкой электронным пучком. Показано, что обработка поверхности образцов в слабом растворе аммиака позволяет примерно в 1,5 раза снизить пороговую плотность тока лазера с волноводной структурой резонатора при энергиях электронного пучка меньших 15 кэВ.
Поступила в редакцию: 08.10.1980
Образец цитирования:
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. Ф. Певцов, “Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1124–1126 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 672–673]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7018 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1124
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 145 | PDF полного текста: | 78 |
|