Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 5, страницы 475–476 (Mi qe963)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Вероятность запрещенного перехода 21S0 — 23S1 атома гелия

Е. В. Бакланов, А. В. Денисов

Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Вычислена вероятность W запрещенного магнитодипольного перехода 21S0 — 23S1 атома гелия, равная 6.11·10–8 с–1. Оценено число атомов, возбуждаемых в состояние 21S0 бегущей волной, резонансной частоте этого перехода.
Поступила в редакцию: 05.02.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 5, Pages 463–464
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n05ABEH000963
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.70.Cs, 32.30.Bv, 42.62.Fi


Образец цитирования: Е. В. Бакланов, А. В. Денисов, “Вероятность запрещенного перехода 21S0 — 23S1 атома гелия”, Квантовая электроника, 24:5 (1997), 475–476 [Quantum Electron., 27:5 (1997), 463–464]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe963
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i5/p475
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:201
    PDF полного текста:118
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025